Name: PHD18NQ10T,118
Brand: NXP
SKU: PHD18NQ10T-118
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

PHD18NQ10T,118

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Numero di parte	PHD18NQ10T,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Scheda dati	PHD18NQ10T,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD18NQ10T,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD18NQ10T,118

PHD18NQ10T,118 Packaging

PHD18NQ10T,118 FAQ

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