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PHB78NQ03LT,118

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PHB78NQ03LT,118

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PHB78NQ03LT,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK
Scheda dati

PHB78NQ03LT,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB78NQ03LT,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 12V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB78NQ03LT,118

PHB78NQ03LT,118 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PHB78NQ03LT,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PHB78NQ03LT,118 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PHB78NQ03LT,118?
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