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PHB73N06T,118

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PHB73N06T,118

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PHB73N06T,118
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
Scheda dati

PHB73N06T,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB73N06T,118

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C73A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2464pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB73N06T,118

PHB73N06T,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHB73N06T,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PHB73N06T,118 price and inventory displayed accurate?
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