Name: PHB38N02LT,118
Brand: NXP
SKU: PHB38N02LT-118
Availability: InStock
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PHB38N02LT,118

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Numero di parte	PHB38N02LT,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Scheda dati	PHB38N02LT,118 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB38N02LT,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	44.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 20V
Vgs (massimo)	12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	57.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 25A, 5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB38N02LT,118

PHB38N02LT,118 Packaging

PHB38N02LT,118 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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PHB38N02LT,118

D# 568-2191-2-ND

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

160

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