Name: PHB23NQ10LT,118
Brand: NXP
SKU: PHB23NQ10LT-118
Availability: InStock
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PHB23NQ10LT,118

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Numero di parte	PHB23NQ10LT,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Scheda dati	PHB23NQ10LT,118 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PHB23NQ10LT,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1704pF @ 25V
Vgs (massimo)	±15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PHB23NQ10LT,118

PHB23NQ10LT,118 Packaging

PHB23NQ10LT,118 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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