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PDTA143XQAZ

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Numero di parte PDTA143XQAZ
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Scheda dati

PDTA143XQAZ Scheda dati

pacchetto 3-XDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche PDTA143XQAZ

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto3-XDFN Exposed Pad
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)1µA
Frequenza - Transizione180MHz
Potenza - Max280mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010D-3

Scheda tecnica PDTA143XQAZ

PDTA143XQAZ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PDTA143XQAZ FAQ

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D# PDTA143XQAZ

Nexperia

Trans Digital BJT PNP 50V 4-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: PDTA143XQAZ)

0
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D# PDTA143XQAZ-ND

Nexperia

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

0
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Nexperia

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

8100
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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS BIPOLAR PB

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