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PDTA115EMB,315

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PDTA115EMB,315
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Scheda dati
pacchetto 3-XFDFN
ECAD
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Specifiche PDTA115EMB,315

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto3-XFDFN
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)100k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)100k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)1µA
Frequenza - Transizione180MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso3-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore3-DFN1006B (0.6x1)

PDTA115EMB,315 Packaging

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Sealing
Packing
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PDTA115EMB,315 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PDTA115EMB,315. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PDTA115EMB,315 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PDTA115EMB,315 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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D# PDTA115EMB,315

NXP Semiconductors

Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 3-Pin DFN T/R - Bulk (Alt: PDTA115EMB,315)

0
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D# 2156-PDTA115EMB,315-ND

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

29992
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 771-PDTA115EMB,315

Nexperia

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Resistor Equipped Transistor

RoHS: Compliant
9000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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NXP Semiconductors

Now Nexperia PDTA115EMB - Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A, 50V, PNP, XQFN3

RoHS: Compliant
199970
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Nexperia

TRANS BIPOLAR PB

pbFree: Pb-Free
0

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