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NVTFS6H888NTAG

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Numero di parte NVTFS6H888NTAG
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NVTFS6H888NTAG

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.7A (Ta), 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 40 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.9W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerWDFN

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Packing
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NVTFS6H888NTAG?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVTFS6H888NTAG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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