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NVTFS6H880NTAG

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Numero di parte NVTFS6H880NTAG
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NVTFS6H880NTAG

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A (Ta), 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds370 pF @ 40 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerWDFN

NVTFS6H880NTAG Packaging

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Sealing
Packing
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVTFS6H880NTAG?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVTFS6H880NTAG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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