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NVTFS6H860NLTAG

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Numero di parte NVTFS6H860NLTAG
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NVTFS6H860NLTAG

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.1A (Ta), 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds610 pF @ 40 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerWDFN

NVTFS6H860NLTAG Packaging

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Sealing
Packing
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NVTFS6H860NLTAG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVTFS6H860NLTAG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NVTFS6H860NLTAG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NVTFS6H860NLTAG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NVTFS6H860NLTAG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NVTFS6H860NLTAG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVTFS6H860NLTAG?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVTFS6H860NLTAG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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