| Numero di parte | NVF2955PT1G |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.504 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 492pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 2.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NVF2955PT1G D# NVF2955PT1G-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NVF2955PT1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
240 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NVF2955PT1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
216 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NVF2955PT1G |
ON Semiconductor |
shipping today |
45635 |
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