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NVD5803NT4G

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Numero di parte NVD5803NT4G
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NVD5803NT4G

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C85A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3220 pF @ 25 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

NVD5803NT4G Packaging

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Sealing
Packing
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NVD5803NT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVD5803NT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVD5803NT4G price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NVD5803NT4G?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVD5803NT4G.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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