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NVC6S5A444NLZT1G

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Numero di parte NVC6S5A444NLZT1G
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NVC6S5A444NLZT1G

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds505 pF @ 20 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-CPH
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NVC6S5A444NLZT1G Packaging

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Packing
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  • 3. Are the NVC6S5A444NLZT1G price and inventory displayed accurate?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (1)Inform us within 90 days
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