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NVB6412ANT4G

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Numero di parte NVB6412ANT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NVB6412ANT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.2 mOhm @ 58A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK-3
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVB6412ANT4G Packaging

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Sealing
Packing
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NVB6412ANT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVB6412ANT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NVB6412ANT4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NVB6412ANT4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NVB6412ANT4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NVB6412ANT4G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVB6412ANT4G?
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MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3

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