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NVB110N65S3F

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Numero di parte NVB110N65S3F
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NVB110N65S3F

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieSuperFET® III, FRFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2560 pF @ 400 V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2PAK)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that NVB110N65S3F is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVB110N65S3F price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NVB110N65S3F?
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as NVB110N65S3F pin diagram, NVB110N65S3F datasheet?
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