Name: NVB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NVB082N65S3F
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

NVB082N65S3F

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Numero di parte	NVB082N65S3F
Produttore	onsemi
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	ott 24 - ott 29 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche NVB082N65S3F

Produttore	onsemi
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	SuperFET® III, FRFET®
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3410 pF @ 400 V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVB082N65S3F Packaging

NVB082N65S3F FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NVB082N65S3F we delivered, we will accept the replacement or return of the NVB082N65S3F only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVB082N65S3F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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