| Numero di parte | NTMSD6N303R2SG |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 180.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | FETKY? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMSD6N303R2SG |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMSD6N303R2SG D# NTMSD6N303R2SG-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTMSD6N303R2SG D# NS-NTMSD6N303R2SG |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
6916 |
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