Name: NTMSD6N303R2SG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMSD6N303R2SG
Availability: InStock
Rating: 5 (150 reviews)

NTMSD6N303R2SG

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Numero di parte	NTMSD6N303R2SG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
A magazzino	180.000 piece(s)
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Specifiche NTMSD6N303R2SG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	FETKY?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 24V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMSD6N303R2SG Packaging

NTMSD6N303R2SG FAQ

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