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NTLJS3113PT1G

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NTLJS3113PT1G

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Numero di parte NTLJS3113PT1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche NTLJS3113PT1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie��Cool?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1329pF @ 16V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad

NTLJS3113PT1G Packaging

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Sealing
Packing
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NTLJS3113PT1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTLJS3113PT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTLJS3113PT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTLJS3113PT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTLJS3113PT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTLJS3113PT1G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTLJS3113PT1G?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R

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MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

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MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

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ON Semiconductor

P-Channel 20 V 40 mOhm 1.9 W Surface Mount Power MOSFET - DFN-6W

RoHS: Compliant
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MOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM

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884
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D# 83K8687

ON Semiconductor

P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.8A, WDFN6, Continuous Drain Current Id:-7.7A, Drain Source Voltage Vds:-20V, Filter Terminals:Surface Mount, No. of Pins:6, On Resistance Rds(on):32mohm, Operating Temperature Max:150°C RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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3041
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A, 20V, 0.05ohm, P-Channel, MOSFET

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41702
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