Name: NTLJS1102PTAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS1102PTAG
Availability: InStock
Rating: 5 (116 reviews)

NTLJS1102PTAG

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Numero di parte	NTLJS1102PTAG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Scheda dati
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	6.672 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche NTLJS1102PTAG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	720mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1585pF @ 4V
Vgs (massimo)	±6V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad

NTLJS1102PTAG Packaging

NTLJS1102PTAG FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NTLJS1102PTAG

D# NTLJS1102PTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 8V 8.1A 6-Pin WDFN T/R - Bulk (Alt: NTLJS1102PTAG)

Numero di parte

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NTLJS1102PTAG

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Power MOSFET

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ON Semiconductor

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Rochester Electronics LLC

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NTLJS1102PTAG

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NTLJS1102PTAG

ON Semiconductor

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A, 8V, P-Channel MOSFET

RoHS: Compliant

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NTLJS1102PTAG

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

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