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NTLJD4150PTBG

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Numero di parte NTLJD4150PTBG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 5.760 piece(s)
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Specifiche NTLJD4150PTBG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs135 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
Potenza - Max700mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)

NTLJD4150PTBG Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NTLJD4150PTBG FAQ

  • 1. How to order NTLJD4150PTBG on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that NTLJD4150PTBG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTLJD4150PTBG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTLJD4150PTBG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTLJD4150PTBG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTLJD4150PTBG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTLJD4150PTBG?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NTLJD4150PTBG we delivered, we will accept the replacement or return of the NTLJD4150PTBG only when all of the below conditions are fulfilled:
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