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NTLJD3183CZTAG

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Numero di parte NTLJD3183CZTAG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 5.824 piece(s)
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Specifiche NTLJD3183CZTAG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs68 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds355pF @ 10V
Potenza - Max710mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)

NTLJD3183CZTAG Packaging

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Packing
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NTLJD3183CZTAG FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTLJD3183CZTAG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTLJD3183CZTAG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTLJD3183CZTAG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A, 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, MOSFET

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