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NTLJD2105LTBG

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Numero di parte NTLJD2105LTBG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Scheda dati
pacchetto 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 36.000 piece(s)
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Specifiche NTLJD2105LTBG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max520mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)

NTLJD2105LTBG Packaging

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Sealing
Packing
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NTLJD2105LTBG FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that NTLJD2105LTBG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTLJD2105LTBG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTLJD2105LTBG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTLJD2105LTBG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTLJD2105LTBG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTLJD2105LTBG?
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ON Semiconductor

N/A 8 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 2 X 2 MM, LEAD FREE, CASE 506AZ-01, WDFN6, 6 PIN

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Power Field-Effect Transistor, 8V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, MOSFET

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