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NTH4LN095N65S3H

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Numero di parte NTH4LN095N65S3H
Produttore onsemi
Descrizione POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NTH4LN095N65S3H

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieSuperFET® III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2833 pF @ 400 V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-4
Pacchetto / casoTO-247-4

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Sealing
Packing
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  • 3. Are the NTH4LN095N65S3H price and inventory displayed accurate?
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    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NTH4LN095N65S3H?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTH4LN095N65S3H.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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