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NTH4L027N65S3F

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Numero di parte NTH4L027N65S3F
Produttore onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche NTH4L027N65S3F

Produttoreonsemi
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieFRFET®, SuperFET® III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7690 pF @ 400 V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27.4mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-4L
Pacchetto / casoTO-247-4

NTH4L027N65S3F Packaging

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Sealing
Packing
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NTH4L027N65S3F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTH4L027N65S3F is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NTH4L027N65S3F price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NTH4L027N65S3F?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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