Name: NTGD4169FT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTGD4169FT1G
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

NTGD4169FT1G

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Numero di parte	NTGD4169FT1G
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6
ECAD
A magazzino	360.012 piece(s)
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Specifiche NTGD4169FT1G

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6

NTGD4169FT1G Packaging

NTGD4169FT1G FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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ON Semiconductor

- Bulk (Alt: NTGD4169FT1G)

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ON Semiconductor

Power MOSFET and Schottky Diode

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A, 30V, N-Channel MOSFET

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