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NTGD3147FT1G

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Numero di parte NTGD3147FT1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Scheda dati
pacchetto SOT-23-6
ECAD
A magazzino 324.000 piece(s)
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Specifiche NTGD3147FT1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
temperatura di esercizio-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6

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Packing
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NTGD3147FT1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTGD3147FT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTGD3147FT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTGD3147FT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTGD3147FT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTGD3147FT1G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTGD3147FT1G?
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