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NTD5867NL-1G

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NTD5867NL-1G

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Numero di parte NTD5867NL-1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Scheda dati
pacchetto TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
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Specifiche NTD5867NL-1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds675pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-Pak
Pacchetto / casoTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Sealing
Packing
Insepction

NTD5867NL-1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTD5867NL-1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTD5867NL-1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTD5867NL-1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTD5867NL-1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTD5867NL-1G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTD5867NL-1G?
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    (1)Inform us within 90 days
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ON Semiconductor

Single N-Channel 60 V 39 mOhm 7.6 nC 36 W Through Hole Power Mosfet - I-PAK-3

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D# 2156-NTD5867NL-1G-ON-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

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