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NTD5862N-1G

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NTD5862N-1G

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Numero di parte NTD5862N-1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NTD5862N-1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C98A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6000pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7 mOhm @ 45A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Sealing
Packing
Insepction

NTD5862N-1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTD5862N-1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTD5862N-1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTD5862N-1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTD5862N-1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTD5862N-1G price and inventory displayed accurate?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Power MOSFET,60V,98A,5.7m,Single N-CH

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Power MOSFET,60V,98A,5.7mohms,Single N-CH

25
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MOSFET N-CH 60V 98A DPAK

23
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ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

30
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OEM/CM ONLY

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ON Semiconductor

90A, 60V, 0.0057ohm, N-Channel Power MOSFET

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23
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