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NTD4979NT4G

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Numero di parte NTD4979NT4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
Scheda dati

NTD4979NT4G Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NTD4979NT4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.4A (Ta), 41A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds837pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica NTD4979NT4G

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Packing
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NTD4979NT4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTD4979NT4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTD4979NT4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTD4979NT4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTD4979NT4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTD4979NT4G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTD4979NT4G?
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OEM/CM ONLY

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