| Numero di parte | NTD4960N-1G |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.112 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Ta), 55A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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SIT8208AI-GF-18E-25.000625T | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 10PPM, 1.8V, 2, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4960N-1G |
ON Semiconductor | 450 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4960N-1G D# NTD4960N-1GOS-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4960N1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
636 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4960N-1G D# NS-NTD4960N-1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
7871 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTD4960N1G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
546 |
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86-755-83210559-802
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