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NTD12N10T4G

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Numero di parte NTD12N10T4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NTD12N10T4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs165 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Packing
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NTD12N10T4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTD12N10T4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTD12N10T4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTD12N10T4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTD12N10T4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTD12N10T4G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTD12N10T4G?
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