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NTB6412ANG

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Numero di parte NTB6412ANG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NTB6412ANG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18.2 mOhm @ 58A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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NTB6412ANG FAQ

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail - Bulk (Alt: NTB6412ANG)

RoHS: Compliant
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ON Semiconductor

350
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ON Semiconductor

MOSFET Transistor, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:58A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):16.8mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation Pd:167W , RoHS Compliant: Yes

498
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D# 2156-NTB6412ANG-ON-ND

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MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

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58A, 100V, 0.0182ohm, N-Channel Power MOSFET

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