| Numero di parte | NTB30N06LT4G |
|---|---|
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 396.588 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 88.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 15A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTB30N06LT4G |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTB30N06LT4G D# NTB30N06LT4GOS-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTB30N06LT4G |
ON SEMI. |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1879 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTB30N06LT4G D# NS-NTB30N06LT4G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
8374 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTB30N06LT4G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
1732 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
NTB30N06LT4G |
ON Semiconductor |
RFQ |
2698 |
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