Name: NSS60100DMTTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NSS60100DMTTBG
Availability: InStock
Rating: 5 (83 reviews)

NSS60100DMTTBG

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Numero di parte	NSS60100DMTTBG
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	TRANS 2PNP 60V 1A
Scheda dati
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	6.816 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche NSS60100DMTTBG

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array
pacchetto	6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 2V
Potenza - Max	2.27W
Frequenza - Transizione	155MHz
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)

NSS60100DMTTBG Packaging

NSS60100DMTTBG FAQ

1. How to order NSS60100DMTTBG on Heisener?

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3. Are the NSS60100DMTTBG price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NSS60100DMTTBG we delivered, we will accept the replacement or return of the NSS60100DMTTBG only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

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D# NSS60100DMTTBG

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Transistor BJT Array Dual PNP 60V 1A 6-Pin WDFN - Tape and Reel (Alt: NSS60100DMTTBG)

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Transistor BJT Array Dual PNP 60V 1A 6-Pin WDFN (Alt: NSS60100DMTTBG)

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D# NSS60100DMTTBG

ON Semiconductor

Transistor BJT Array Dual PNP 60V 1A 6-Pin WDFN (Alt: NSS60100DMTTBG)

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Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA

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