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NSBA114YF3T5G

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Numero di parte NSBA114YF3T5G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
Scheda dati
pacchetto SOT-1123
ECAD
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Specifiche NSBA114YF3T5G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoSOT-1123
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max254mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-1123
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-1123

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Sealing
Packing
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NSBA114YF3T5G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NSBA114YF3T5G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NSBA114YF3T5G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NSBA114YF3T5G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NSBA114YF3T5G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NSBA114YF3T5G price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NSBA114YF3T5G?
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D# NSBA114YF3T5G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-1123 T/R - Bulk (Alt: NSBA114YF3T5G)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NSBA114YF3T5G

D# NSBA114YF3T5G

ON Semiconductor

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-1123 T/R (Alt: NSBA114YF3T5G)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NSBA114YF3T5G

ON Semiconductor

BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/47KOHM, SOT1123, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V, Continuous Collector Current Ic:100mA, Base Input Resistor R1:10kohm, Base-Emitter Resistor R2:47kohm, Resistor Ratio, R1 / R2:0.21, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NSBA114YF3T5G

D# 2156-NSBA114YF3T5G-OS-ND

Rochester Electronics LLC

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

456000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NSBA114YF3T5G

D# 3617169

ON Semiconductor

DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A

RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 863-NSBA114YF3T5G

ON Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR

RoHS: Compliant
8000
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NSBA114YF3T5G

D# 49X8918

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BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/47KOHM, SOT1123, Digital Transistor Polarity:Single PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V, Continuous Collector Current Ic:100mA, Base Input Resistor R1:10kohm, Base-Emitter Resistor R2:47kohm RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NSBA114YF3T5G

D# NS-NSBA114YF3T5G

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

7548
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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ON Semiconductor

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A, 50V, PNP

RoHS: Compliant
456000

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