Name: NP82N04PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP82N04PDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (79 reviews)

NP82N04PDG-E1-AY

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Numero di parte	NP82N04PDG-E1-AY
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Scheda dati	NP82N04PDG-E1-AY Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP82N04PDG-E1-AY

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	82A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 41A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E1-AY Packaging

NP82N04PDG-E1-AY FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NP82N04PDG-E1-AY we delivered, we will accept the replacement or return of the NP82N04PDG-E1-AY only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NP82N04PDG-E1-AY.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as NP82N04PDG-E1-AY pin diagram, NP82N04PDG-E1-AY datasheet?

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