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NP82N04PDG-E1-AY

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Numero di parte NP82N04PDG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Scheda dati

NP82N04PDG-E1-AY Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP82N04PDG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C82A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9000pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 41A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E1-AY Packaging

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Packing
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NP82N04PDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP82N04PDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NP82N04PDG-E1-AY. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NP82N04PDG-E1-AY on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NP82N04PDG-E1-AY products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NP82N04PDG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NP82N04PDG-E1-AY?
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