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NP80N06MLG-S18-AY

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Numero di parte NP80N06MLG-S18-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Scheda dati

NP80N06MLG-S18-AY Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche NP80N06MLG-S18-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs128nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6900pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica NP80N06MLG-S18-AY

NP80N06MLG-S18-AY Packaging

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Packing
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NP80N06MLG-S18-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP80N06MLG-S18-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP80N06MLG-S18-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NP80N06MLG-S18-AY?
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 Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

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