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NP75P03YDG-E1-AY

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Numero di parte NP75P03YDG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Scheda dati

NP75P03YDG-E1-AY Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
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Specifiche NP75P03YDG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 37.5A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSON
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Scheda tecnica NP75P03YDG-E1-AY

NP75P03YDG-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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NP75P03YDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP75P03YDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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Renesas Electronics Corporation

Transistor MOSFET P-CH 30V 75A 8-Pin HSON T/R - Tape and Reel (Alt: NP75P03YDG-E1-AY)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NP75P03YDG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

SINGLE MOSFET, PCH, 30V, HSON8 - Tape and Reel

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NP75P03YDG-E1-AY

D# NP75P03YDG-E1-AYTR-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

0
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Renesas Electronics Corporation

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NS-NP75P03YDG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

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