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NP36P04KDG-E1-AY

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Numero di parte NP36P04KDG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
Scheda dati

NP36P04KDG-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP36P04KDG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2800pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica NP36P04KDG-E1-AY

NP36P04KDG-E1-AY Packaging

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Packing
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NP36P04KDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP36P04KDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP36P04KDG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NP36P04KDG-E1-AY?
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R (Alt: NP36P04KDG-E1-AY)

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Renesas Electronics Corporation

Min Qty 800

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Renesas Electronics Corporation

RoHS: Compliant
0
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET P-CH 40V 36A TO263

0
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Renesas Electronics Corporation

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1920
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Renesas Electronics Corporation

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753
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Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

7487
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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NEC Electronics Group

OEM/CM ONLY

1616
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