Name: NP23N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP23N06YDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (157 reviews)

NP23N06YDG-E1-AY

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Numero di parte	NP23N06YDG-E1-AY
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Scheda dati	NP23N06YDG-E1-AY Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
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Specifiche NP23N06YDG-E1-AY

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 11.5A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSON
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Scheda tecnica NP23N06YDG-E1-AY

NP23N06YDG-E1-AY Packaging

NP23N06YDG-E1-AY FAQ

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3. Are the NP23N06YDG-E1-AY price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

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Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin HSON T/R (Alt: NP23N06YDG-E1-AY)

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MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

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