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NP16N06QLK-E1-AY

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Numero di parte NP16N06QLK-E1-AY
Produttore Renesas Electronics Corporation
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 16A 8HSON
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 12.930 piece(s)
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Specifiche NP16N06QLK-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETMOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 25V
Potenza - Max1W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio175°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSON (5x5.4)

NP16N06QLK-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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NP16N06QLK-E1-AY FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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