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NP100P04PLG-E1-AY

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Numero di parte NP100P04PLG-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Scheda dati

NP100P04PLG-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche NP100P04PLG-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs320nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15100pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica NP100P04PLG-E1-AY

NP100P04PLG-E1-AY Packaging

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Packing
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NP100P04PLG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP100P04PLG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP100P04PLG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R (Alt: NP100P04PLG-E1-AY)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NP100P04PLG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

NP100P04PLG P-Channel 40 V 5.1 mOhm 200 W 320 nC Switching MosFet - TO-263

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NP100P04PLG-E1-AY

D# NP100P04PLG-E1-AYTR-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET P-CH 40V 100A TO263

0
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Renesas Electronics Corporation

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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