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NGTD13T65F2WP

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NGTD13T65F2WP

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Numero di parte NGTD13T65F2WP
Produttore ON Semiconductor
Descrizione IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Scheda dati
pacchetto Die
ECAD
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Specifiche NGTD13T65F2WP

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoDie
ECAD
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)-
Corrente - Collector Pulsed (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
Potenza - Max-
Cambiare energia-
Tipo di inputStandard
Carica del cancello-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

NGTD13T65F2WP Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NGTD13T65F2WP FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that NGTD13T65F2WP is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NGTD13T65F2WP. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NGTD13T65F2WP on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NGTD13T65F2WP products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NGTD13T65F2WP price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NGTD13T65F2WP?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NGTD13T65F2WP we delivered, we will accept the replacement or return of the NGTD13T65F2WP only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTD13T65F2WP

D# V36:1790_16156789

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V WJAR

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTD13T65F2WP

D# NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

Field Stop II Trench IGBT 650 V 30 A Bare Wafer Die T/R - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film (Alt: NGTD13T65F2WP)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTD13T65F2WP

D# NGTD13T65F2WP-ND

ON Semiconductor

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTD13T65F2WP

D# 92Y3736

ON Semiconductor

650V/40A CC78 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES / PLRNG

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 190
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

6564
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTD13T65F2WP

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ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V WJAR

RoHS: Compliant
0

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