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NGTB75N65FL2WAG

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Numero di parte NGTB75N65FL2WAG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Scheda dati
pacchetto TO-247-4
ECAD
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Specifiche NGTB75N65FL2WAG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-247-4
ECAD
Serie-
Tipo IGBTField Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)200A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 75A
Potenza - Max536W
Cambiare energia610µJ (on), 1.2mJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello310nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/157ns
Condizione di test400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)90ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-4
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-4L

NGTB75N65FL2WAG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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NGTB75N65FL2WAG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NGTB75N65FL2WAG is from the original manufacturer or authorized agents?
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ON Semiconductor

ONSNGTB75N65FL2WAG - Bulk (Alt: NGTB75N65FL2WAG)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-NGTB75N65FL2WAG-OS-ND

Rochester Electronics LLC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

38
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB75N65FL2WAG

D# 863-NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

IGBT Transistors IGBT, 650 V Field Stop II, 75 A

RoHS: Compliant
111
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor

RoHS: Compliant
38
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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ON Semiconductor

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