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NGTB60N65FL2WG

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NGTB60N65FL2WG

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Numero di parte NGTB60N65FL2WG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione 650V/60A IGBT FSII
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche NGTB60N65FL2WG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo IGBTField Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)100A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
Potenza - Max595W
Cambiare energia1.59mJ (on), 660µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello318nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C117ns/265ns
Condizione di test400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)96ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

NGTB60N65FL2WG Packaging

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Packing
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NGTB60N65FL2WG FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that NGTB60N65FL2WG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NGTB60N65FL2WG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NGTB60N65FL2WG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NGTB60N65FL2WG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NGTB60N65FL2WG price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NGTB60N65FL2WG?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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D# V99:2348_14671478

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NGTB60N65FL2WG

 ON Semiconductor

Transistor I GBT N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: NGTB60N65FL2WG)

 0
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 ON Semiconductor

Transistor I GBT N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: NGTB60N65FL2WG)

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NGTB60N65FL2WG

D# NGTB60N65FL2WG

 ON Semiconductor

Transistor I GBT N-CH 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: NGTB60N65FL2WG)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB60N65FL2WG

D# NGTB60N65FL2WGOS-ND

 ON Semiconductor

IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247

 115
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 ON Semiconductor

In stock shipping within 2days

 3000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB60N65FL2WG

D# 2563378

 ON Semiconductor

IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
 2
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB60N65FL2WG

 ON Semiconductor

NGTB60N Series 650 V 100 A Through Hole Silicon IGBT - TO-247-3

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB60N65FL2WG

 ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 6960
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 ON Semiconductor

OEM/CM Immediate delivery

 1080
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D# 863-NGTB60N65FL2WG

 ON Semiconductor

IGBT Transistors 650V/60A FAST IGBT FSII

RoHS: Compliant
 228
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# XSKDRABV0054959

 ON SEMICONDUCTOR

1330
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB60N65FL2WG.

D# 29AC8931

 ON Semiconductor

DC Collector Current:100A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.64V, Power Dissipation Pd:595W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:175°C, Product Range:-, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 120
Container: Bulk
 0

NGTB60N65FL2WG

D# 95Y0282

 ON Semiconductor

IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3, DC Collector Current:100A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.64V, Power Dissipation Pd:595W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, Transistor Case Style:TO-247, No. of RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
 2
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 ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor

RoHS: Compliant
 60
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

 2726
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 ON Semiconductor

IN stock Immediate delivery

 1075
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D# 2563378

 ON Semiconductor

IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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