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NGTB35N65FL2WG

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NGTB35N65FL2WG

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Numero di parte NGTB35N65FL2WG
Produttore ON Semiconductor
Descrizione IGBT 650V 70A 300W TO247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 5.040 piece(s)
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Specifiche NGTB35N65FL2WG

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)70A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
Potenza - Max300W
Cambiare energia840µJ (on), 280µJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello125nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C72ns/132ns
Condizione di test400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)68ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

NGTB35N65FL2WG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

NGTB35N65FL2WG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NGTB35N65FL2WG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NGTB35N65FL2WG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NGTB35N65FL2WG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NGTB35N65FL2WG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NGTB35N65FL2WG price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of NGTB35N65FL2WG?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# E02:0323_08160947

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: NGTB35N65FL2WG)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: NGTB35N65FL2WG)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

Trench Field Stop 650V 70A 2V @ 15V,35A TO-247 IGBTs RoHS

 4
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# NGTB35N65FL2WGOS-ND

 ON Semiconductor

IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247

 2
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

In stock shipping within 2days

 10260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# 2452037

 ON Semiconductor

650V/35A FAST IGBT FSII T

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 11600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# C184683

 ON Semiconductor

4
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# 863-NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

IGBT Transistors 650V/35A FAST IGBT FSII T

RoHS: Compliant
 525
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# XSFP00000166842

 ON SEMICONDUCTOR

690
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG.

D# 61AC1092

 ON Semiconductor

DC Collector Current:70A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:300W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:175°C, Product Range:-, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 270
Container: Bulk
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# 8427898P

 ON Semiconductor

ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG IGBT, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole, TU

Min Qty: 2
Container: Tube
 60
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A, 650V, N-Channel

RoHS: Compliant
 7660
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

 ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

 5035
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

NGTB35N65FL2WG

D# 44981133

 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
 0

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