Name: NE3513M04-T2B-A
Brand: CEL
SKU: NE3513M04-T2B-A
Availability: InStock
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NE3513M04-T2B-A

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Numero di parte	NE3513M04-T2B-A
Produttore	CEL
Descrizione	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Scheda dati	NE3513M04-T2B-A Scheda dati
pacchetto	4-SMD, Flat Leads
ECAD
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Specifiche NE3513M04-T2B-A

Produttore	CEL
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	4-SMD, Flat Leads
ECAD
Serie	-
Transistor Type	N-Channel GaAs HJ-FET
Frequenza	12GHz
Guadagno	13dB
Voltaggio - Test	2V
Valutazione attuale	60mA
Figura di rumore	0.65dB
Corrente - Test	10mA
Potenza - Uscita	125mW
Tensione - Rated	4V
Pacchetto / caso	4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore	4-Super Mini Mold

Scheda tecnica NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A Packaging

NE3513M04-T2B-A FAQ

1. How to order NE3513M04-T2B-A on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that NE3513M04-T2B-A is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the NE3513M04-T2B-A price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NE3513M04-T2B-A garanzie

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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET

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