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NDD60N900U1T4G

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Numero di parte NDD60N900U1T4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NDD60N900U1T4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds360pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NDD60N900U1T4G Packaging

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Packing
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NDD60N900U1T4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NDD60N900U1T4G is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NDD60N900U1T4G price and inventory displayed accurate?
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