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NDD01N60T4G

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Numero di parte NDD01N60T4G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche NDD01N60T4G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NDD01N60T4G Packaging

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Packing
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NDD01N60T4G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NDD01N60T4G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NDD01N60T4G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NDD01N60T4G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NDD01N60T4G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NDD01N60T4G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NDD01N60T4G?
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Trans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin DPAK T/R - Bulk (Alt: NDD01N60T4G)

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ON Semiconductor

100
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MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

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ON Semiconductor

1.5A, 600V, 8.5ohm, N-Channel Power MOSFET

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