Name: NDBA180N10BT4H
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDBA180N10BT4H
Availability: InStock
Rating: 5 (74 reviews)

NDBA180N10BT4H

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Numero di parte	NDBA180N10BT4H
Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
A magazzino	5.824 piece(s)
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Specifiche NDBA180N10BT4H

Produttore	ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6950pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 50A, 15V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK (TO-263)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NDBA180N10BT4H Packaging

NDBA180N10BT4H FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NDBA180N10BT4H we delivered, we will accept the replacement or return of the NDBA180N10BT4H only when all of the below conditions are fulfilled:

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NDBA180N10BT4H

D# NDBA180N10BT4H

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: NDBA180N10BT4H)

RoHS: Compliant

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NDBA180N10BT4H

D# 2156-NDBA180N10BT4H-ONTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

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Power Field-Effect Transistor

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NXP Semiconductors

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